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離子源弧光室的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?

發(fā)布時(shí)間:2024-03-12
離子源弧光室是離子注入設(shè)備的一部分,主要作用是將充入弧光室的惰性氣體經(jīng)輝光放電電離成等離子體,經(jīng)離子光學(xué)系統(tǒng)引出帶正電的離子束,再經(jīng)過(guò)下游端的中和陰極向離子束發(fā)射與束電流等量的電子流進(jìn)行電荷中和,最終生成高能高速的中性離子束。

離子源弧光室是離子注入設(shè)備的一部分,主要作用是將充入弧光室的惰性氣體經(jīng)輝光放電電離成等離子體,經(jīng)離子光學(xué)系統(tǒng)引出帶正電的離子束,再經(jīng)過(guò)下游端的中和陰極向離子束發(fā)射與束電流等量的電子流進(jìn)行電荷中和,最終生成高能高速的中性離子束。離子源弧光室其應(yīng)用領(lǐng)域包括:

半導(dǎo)體:可用于注入半導(dǎo)體器件的單元溝道離子,以生產(chǎn)晶體傳感器。

材料科學(xué):可用于材料表面改性,如清洗、氮化和鍍膜等。

高能物理:可用于離子加速器,以轟擊靶材并產(chǎn)生新物質(zhì)或揭示新的物理規(guī)律。

在半導(dǎo)體行業(yè)中,離子源弧光室主要用于離子注入工藝。

離子注入是一種重要的半導(dǎo)體摻雜技術(shù),它可以將特定的雜質(zhì)離子引入半導(dǎo)體材料中,從而改變半導(dǎo)體的電學(xué)性能。在離子注入過(guò)程中,離子源弧光室產(chǎn)生的離子束會(huì)被加速到很高的速度,并注入到半導(dǎo)體晶片中。

通過(guò)控制離子束的劑量,可以精確地控制雜質(zhì)離子在半導(dǎo)體中的分布和濃度,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體器件性能的調(diào)控。例如,在制造晶體管時(shí),可以通過(guò)離子注入來(lái)形成 p-n 結(jié),從而控制晶體管的導(dǎo)通和截止。